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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7304TRPBF
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IRF7304TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7304TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7304TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7304TRPBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3830

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Unsere Zertifizierung

Spezifikation

IRF7304TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7304TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7304TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF73  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7304TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7304TRPBF IRF7303PBF IRF7306PBF IRF7304QTRPBF
Artikelnummer IRF7304TRPBF IRF7303PBF IRF7306PBF IRF7304QTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V 25nC @ 10V 25nC @ 10V 22nC @ 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.2A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Leistung - max 2W 2W 2W (Ta) 2W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 15V 520pF @ 25V 440pF @ 25V 610pF @ 15V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A 4.9A 3.6A (Ta) 4.3A
Grundproduktnummer IRF73 IRF73 IRF73 IRF73

IRF7304TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7304TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7304TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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