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IRF7325 Image
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IRF7325 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7325
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7325
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7325.pdf
vorrätig: 4020

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Spezifikation

IRF7325 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7325 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7325

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF732  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7325.

Produkteigenschaften IRF7325 IRF7324PBF IRF7324TRPBF IRF7325TRPBF
Artikelnummer IRF7325 IRF7324PBF IRF7324TRPBF IRF7325TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V 63nC @ 5V 63nC @ 5V 33nC @ 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V 20V 20V 12V
Grundproduktnummer IRF732 IRF732 IRF732 IRF732
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 7.8A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V 18mOhm @ 9A, 4.5V 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 10V 2940pF @ 15V 2940pF @ 15V 2020pF @ 10V
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.8A 9A 9A 7.8A

IRF7325 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7325 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7325 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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