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IRF7326D2TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7326D2TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7326D2TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7326D2.pdf
vorrätig: 4120

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Spezifikation

IRF7326D2TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7326D2TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7326D2TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7326D2TR.

Produkteigenschaften IRF7326D2TR IRF7326D2TRPBF IRF7324TRPBF IRF7324DT
Artikelnummer IRF7326D2TR IRF7326D2TRPBF IRF7324TRPBF IRF7324DT
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies IF
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) - -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20V -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V 18mOhm @ 9A, 4.5V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.6A (Ta) 3.6A (Ta) 9A -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Logic Level Gate -
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Serie FETKY™ FETKY™ HEXFET® -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 63nC @ 5V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 2940pF @ 15V -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

IRF7326D2TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7326D2TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7326D2TR - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF7326D2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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