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IRF7341QTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7341QTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7341QTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7341QPbF.pdf
vorrätig: 4610

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Spezifikation

IRF7341QTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7341QTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7341QTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V  
Leistung - max 2.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF734  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7341QTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7341QTRPBF IRF7341TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7342D2TRPBF
Artikelnummer IRF7341QTRPBF IRF7341TRPBF IRF7341GTRPBF IRF7342D2TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRF734 IRF734 IRF734 -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Schottky Diode (Isolated)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V 740pF @ 25V 780pF @ 25V 690 pF @ 25 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V 36nC @ 10V 44nC @ 10V 38 nC @ 10 V
Leistung - max 2.4W 2W 2.4W -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A 4.7A 5.1A 3.4A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 55V 55V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRF7341QTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7341QTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7341QTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF7341QPbF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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