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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7413ZPBF
International Rectifier
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IRF7413ZPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF7413ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7413ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7413ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4190

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Anzahl

Spezifikation

IRF7413ZPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF7413ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF7413ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF7413ZPBF.

Produkteigenschaften IRF7413ZPBF IRF7416PBF IRF7413ZTR IRF7413TRPBF
Artikelnummer IRF7413ZPBF IRF7416PBF IRF7413ZTR IRF7413TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 1V @ 250µA 2.25V @ 250µA 3V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V 1700 pF @ 25 V 1210 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 79 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Bulk Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) 10A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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