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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7413ZTRPBF
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IRF7413ZTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7413ZTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7413ZTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7413ZTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 114730

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Anzahl

Spezifikation

IRF7413ZTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7413ZTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7413ZTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta)  
Grundproduktnummer IRF7413  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7413ZTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7413ZTRPBF IRF7416PBF IRF7413ZTR IRF7413TRPBF
Artikelnummer IRF7413ZTRPBF IRF7416PBF IRF7413ZTR IRF7413TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Grundproduktnummer IRF7413 - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) 10A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA 1V @ 250µA 2.25V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 92 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 79 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V 1700 pF @ 25 V 1210 pF @ 15 V 1800 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13A, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 10mOhm @ 13A, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRF7413ZTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7413ZTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7413ZTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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