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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7463
IRF7463 Image
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IRF7463 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7463
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7463
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7463.pdf
vorrätig: 5220

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Anzahl

Spezifikation

IRF7463 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7463 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7463

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7463.

Produkteigenschaften IRF7463 IRF7463TRPBF IRF7460PBF IRF7464TRPBF
Artikelnummer IRF7463 IRF7463TRPBF IRF7460PBF IRF7464TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V 2.7V, 10V 4.5V, 10V 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta) 14A (Ta) 12A (Ta) 1.2A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 14A, 10V 8mOhm @ 14A, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 730mOhm @ 720mA, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 15 V 3150 pF @ 15 V 2050 pF @ 10 V 280 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 200 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±30V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V 51 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 14 nC @ 10 V

IRF7463 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7463 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7463 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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