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IRF7464 Image
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IRF7464 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7464
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7464
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7464.pdf
vorrätig: 3880

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Spezifikation

IRF7464 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7464 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7464

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 720mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7464.

Produkteigenschaften IRF7464 IRF7467 IRF7460TR IRF7460PBF
Artikelnummer IRF7464 IRF7467 IRF7460TR IRF7460PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 2530 pF @ 15 V 2050 pF @ 10 V 2050 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 32 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V 19 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.8V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 30 V 20 V 20 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.2A (Ta) 11A (Ta) 12A (Ta) 12A (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730mOhm @ 720mA, 10V 12mOhm @ 11A, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 10mOhm @ 12A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±30V ±12V ±20V ±20V

IRF7464 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7464 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7464 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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