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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7855PBF
International Rectifier
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IRF7855PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF7855PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7855PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7855PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4000

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Anzahl

Spezifikation

IRF7855PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF7855PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF7855PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF7855PBF.

Produkteigenschaften IRF7855PBF IRF7855TRPBF IRF7854TRPBF IRF7862TRPBF
Artikelnummer IRF7855PBF IRF7855TRPBF IRF7854TRPBF IRF7862TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta) 12A (Ta) 10A (Ta) 21A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1560 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V 4090 pF @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 80 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 2.35V @ 100µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 12A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 45 nC @ 4.5 V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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