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IRF7901D1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7901D1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7901D1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7901D1.pdf
vorrätig: 5010

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Spezifikation

IRF7901D1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7901D1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7901D1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF7901  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7901D1.

Produkteigenschaften IRF7901D1 IRF7902TRPBF IRF7901D1TRPBF IRF7901D1TR
Artikelnummer IRF7901D1 IRF7902TRPBF IRF7901D1TRPBF IRF7901D1TR
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie FETKY™ HEXFET® FETKY™ FETKY™
Grundproduktnummer IRF7901 IRF7902 IRF7901 IRF7901
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A 6.4A (Ta), 9.7A (Ta) 6.2A 6.2A
Leistung - max 2W 1.4W (Ta), 2W (Ta) 2W 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 5V 6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 10.5nC @ 5V 10.5nC @ 5V
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 16V 580pF @ 15V, 900pF @ 15V 780pF @ 16V 780pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5A, 4.5V 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V 38mOhm @ 5A, 4.5V 38mOhm @ 5A, 4.5V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.25V @ 25µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF7901D1 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7901D1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7901D1 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRF7901D1.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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