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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF8010SPBF
IRF8010SPBF Image
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IRF8010SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF8010SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF8010SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF8010SPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4850

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Anzahl

Spezifikation

IRF8010SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF8010SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF8010SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 260W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF8010SPBF.

Produkteigenschaften IRF8010SPBF IRF8113 IRF7946TRPBF IRF8010PBF
Artikelnummer IRF8010SPBF IRF8113 IRF7946TRPBF IRF8010PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK 8-SO DIRECTFET™ MX TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 17.2A (Ta) 90A (Tc) 80A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 3.9V @ 150µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 40 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 36 nC @ 4.5 V 212 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 1.4mOhm @ 90A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V 2910 pF @ 15 V 6852 pF @ 25 V 3830 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric MX TO-220-3
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verlustleistung (max) 260W (Tc) 2.5W (Ta) 96W (Tc) 260W (Tc)

IRF8010SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF8010SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF8010SPBF - Infineon Technologies herunter.

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