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IRF8010STRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF8010STRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF8010STRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF8010STRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14281

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Anzahl

Spezifikation

IRF8010STRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF8010STRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF8010STRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 260W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF8010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF8010STRLPBF.

Produkteigenschaften IRF8010STRLPBF IRF8113 IRF8010SPBF IRF7946TRPBF
Artikelnummer IRF8010STRLPBF IRF8113 IRF8010SPBF IRF7946TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 6V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 150µA
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB DirectFET™ Isometric MX
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3830 pF @ 25 V 2910 pF @ 15 V 3830 pF @ 25 V 6852 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 36 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V 212 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK 8-SO D2PAK DIRECTFET™ MX
Grundproduktnummer IRF8010 - - IRF7946
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 100 V 40 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 260W (Tc) 2.5W (Ta) 260W (Tc) 96W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 17.2A (Ta) 80A (Tc) 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 45A, 10V 5.6mOhm @ 17.2A, 10V 15mOhm @ 45A, 10V 1.4mOhm @ 90A, 10V

IRF8010STRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF8010STRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF8010STRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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