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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9321TRPBF
IRF9321TRPBF Image
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IRF9321TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9321TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9321TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 15A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF9321TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 121360

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Spezifikation

IRF9321TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9321TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9321TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2590 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta)  
Grundproduktnummer IRF9321  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9321TRPBF.

Produkteigenschaften IRF9321TRPBF IRF9328PBF IRF9321PBF IRF9317TRPBF
Artikelnummer IRF9321TRPBF IRF9328PBF IRF9321PBF IRF9317TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IRF9321 - - IRF9317
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 15A, 10V 11.9mOhm @ 12A, 10V 7.2mOhm @ 15A, 10V 6.6mOhm @ 16A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2590 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V 2820 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA 2.4V @ 25µA 2.4V @ 50µA 2.4V @ 50µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta) 12A (Tc) 15A (Ta) 16A (Ta)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO

IRF9321TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9321TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9321TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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