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IRF9328PBF Image
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IRF9328PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9328PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9328PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF9328PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4580

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Anzahl

Spezifikation

IRF9328PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9328PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9328PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9328PBF.

Produkteigenschaften IRF9328PBF IRF9321TRPBF IRF9317TRPBF IRF9333PBF
Artikelnummer IRF9328PBF IRF9321TRPBF IRF9317TRPBF IRF9333PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 15A (Ta) 16A (Ta) 9.2A (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V 2820 pF @ 15 V 1110 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 12A, 10V 7.2mOhm @ 15A, 10V 6.6mOhm @ 16A, 10V 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 2.4V @ 50µA 2.4V @ 50µA 2.4V @ 25µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

IRF9328PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9328PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9328PBF - Infineon Technologies herunter.

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