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IRF9540NSTRR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF9540NSTRR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9540NSTRR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRF9540NSTRR.pdf
vorrätig: 4460

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Spezifikation

IRF9540NSTRR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF9540NSTRR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF9540NSTRR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF9540NSTRR.

Produkteigenschaften IRF9540NSTRR IRF9540PBF IRF9540NSPBF IRF9540SPBF
Artikelnummer IRF9540NSTRR IRF9540PBF IRF9540NSPBF IRF9540SPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 23A (Tc) 19A (Tc) 23A (Tc) 19A (Tc)
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) 150W (Tc) 3.1W (Ta), 110W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 11A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V 117mOhm @ 14A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

IRF9540NSTRR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF9540NSTRR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF9540NSTRR - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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