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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF9541
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IRF9541 - Harris Corporation

Hersteller Artikelnummer
IRF9541
Hersteller
Harris Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IRF9541
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF9541.pdf
vorrätig: 19948

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Spezifikation

IRF9541 Tech -Spezifikationen
Harris Corporation - IRF9541 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Harris Corporation - IRF9541

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Harris Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Harris Corporation IRF9541.

Produkteigenschaften IRF9541 IRF9540STRLPBF IRF9610 IRF9610S
Artikelnummer IRF9541 IRF9540STRLPBF IRF9610 IRF9610S
Hersteller Harris Corporation Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 100 V 200 V 200 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 20W (Tc) 3W (Ta), 20W (Tc)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19A (Tc) 19A (Tc) 1.8A (Tc) 1.8A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 10A, 10V 200mOhm @ 11A, 10V 3Ohm @ 900mA, 10V 3Ohm @ 900mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
Serie - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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32D-IRF9541

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