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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5004TR2PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH5004TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5004TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5004TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5004TR2PBF.pdf
vorrätig: 5410

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Spezifikation

IRFH5004TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5004TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5004TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4490 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5004TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH5004TR2PBF IRFH5004TRPBF IRFH5010TRPBF IRFH5006TRPBF
Artikelnummer IRFH5004TR2PBF IRFH5004TRPBF IRFH5010TRPBF IRFH5006TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4490 pF @ 20 V 4490 pF @ 20 V 4340 pF @ 25 V 4175 pF @ 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA 4V @ 150µA
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 50A, 10V 2.6mOhm @ 50A, 10V 9mOhm @ 50A, 10V 4.1mOhm @ 50A, 10V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 60 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Ta), 100A (Tc) 28A (Ta), 100A (Tc) 13A (Ta), 100A (Tc) 21A (Ta), 100A (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFH5004TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5004TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5004TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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