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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRFH4253DTRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH4253DTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH4253DTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH4253DTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH4253DTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 36644

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Anzahl

Spezifikation

IRFH4253DTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH4253DTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH4253DTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V  
Leistung - max 31W, 50W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A, 145A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRFH4253  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH4253DTRPBF.

Produkteigenschaften IRFH4253DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF
Artikelnummer IRFH4253DTRPBF IRFH4251DTRPBF IRFH4257DTRPBF IRFH4255DTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual), Schottky 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) PG-TISON-8 Dual PQFN (5x4) PQFN (5x6)
Grundproduktnummer IRFH4253 IRFH4251 IRFH4257 IRFH4255
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA 2.1V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 25V 25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A, 145A 64A, 188A 25A 64A, 105A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Leistung - max 31W, 50W 31W, 63W 25W, 28W 31W, 38W
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 13V 1314pF @ 13V 1321pF @ 13V 1314pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V
Serie HEXFET® FASTIRFET™ HEXFET® HEXFET®

IRFH4253DTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH4253DTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH4253DTRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Backend Processing Site Transfer 20/Jan/2017.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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