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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5025TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH5025TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5025TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5025TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5025TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18221

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Anzahl

Spezifikation

IRFH5025TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5025TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5025TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta)  
Grundproduktnummer IRFH5025  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5025TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH5025TRPBF IRFH5104TR2PBF IRFH5010TRPBF IRFH5025TR2PBF
Artikelnummer IRFH5025TRPBF IRFH5104TR2PBF IRFH5010TRPBF IRFH5025TR2PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 40 V 100 V 250 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Ta) 24A (Ta), 100A (Tc) 13A (Ta), 100A (Tc) 3.8A (Ta)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 150µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA 5V @ 150µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 50 V 3120 pF @ 25 V 4340 pF @ 25 V 2150 pF @ 50 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRFH5025 - IRFH5010 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 9mOhm @ 50A, 10V 100mOhm @ 5.7A, 10V
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFH5025TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5025TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5025TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 9/Nov/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Revision 03/Feb/2015.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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