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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5053TR2PBF
Infineon Technologies
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IRFH5053TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5053TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5053TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5053TR2PBF.pdf
vorrätig: 4210

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Spezifikation

IRFH5053TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5053TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5053TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta), 46A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5053TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH5053TR2PBF IRFH5025TR2PBF IRFH5104TR2PBF IRFH5104TRPBF
Artikelnummer IRFH5053TR2PBF IRFH5025TR2PBF IRFH5104TR2PBF IRFH5104TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 9.3A, 10V 100mOhm @ 5.7A, 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V
Paket Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 40 V 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 5V @ 150µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 50 V 2150 pF @ 50 V 3120 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.8A (Ta) 24A (Ta), 100A (Tc) 24A (Ta), 100A (Tc)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-VQFN Exposed Pad
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V

IRFH5053TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5053TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5053TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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