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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH5306TRPBF
Infineon Technologies
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IRFH5306TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH5306TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH5306TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 15A/44A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH5306TRPBF.pdf
vorrätig: 4270

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Spezifikation

IRFH5306TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH5306TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH5306TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 26W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1125 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 44A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH5306TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH5306TRPBF IRFH7004TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH7004TR2PBF
Artikelnummer IRFH5306TRPBF IRFH7004TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH7004TR2PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 3.9V @ 150µA 4V @ 50µA 3.9V @ 150µA
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) Single Die 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1125 pF @ 15 V 6419 pF @ 25 V 1256 pF @ 25 V 6419 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 60 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 194 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ - -
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 26W (Tc) 156W (Tc) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 15A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 14.4mOhm @ 24A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 44A (Tc) 100A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 100A (Tc)

IRFH5306TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH5306TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH5306TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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