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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH6200TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH6200TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH6200TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH6200TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH6200TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39627

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Anzahl

Spezifikation

IRFH6200TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH6200TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH6200TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 150µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10890 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH6200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH6200TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH6200TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH5304TRPBF IRFH7004TR2PBF
Artikelnummer IRFH6200TRPBF IRFH5406TR2PBF IRFH5304TRPBF IRFH7004TR2PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 156W (Tc) - 3.6W (Ta), 46W (Tc) -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-VQFN Exposed Pad
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V 14.4mOhm @ 24A, 10V 4.5mOhm @ 47A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V - 4.5V, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V 30 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10890 pF @ 10 V 1256 pF @ 25 V 2360 pF @ 10 V 6419 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Ta), 100A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 22A (Ta), 79A (Tc) 100A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±12V - ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 1.1V @ 150µA 4V @ 50µA 2.35V @ 50µA 3.9V @ 150µA
Grundproduktnummer IRFH6200 - IRFH5304 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie HEXFET® - HEXFET® -
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

IRFH6200TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH6200TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH6200TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Site Revision 03/Feb/2015.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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