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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRFI4212H-117PXKMA1
Infineon Technologies
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IRFI4212H-117PXKMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFI4212H-117PXKMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI4212H-117PXKMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Datenblatt
IRFI4212H-117PXKMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 46840

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Anzahl

Spezifikation

IRFI4212H-117PXKMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFI4212H-117PXKMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFI4212H-117PXKMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5 Full-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5mOhm @ 6.6A, 10V  
Leistung - max 18W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 Full Pack, Formed Leads  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 50V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRFI4212  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFI4212H-117PXKMA1.

Produkteigenschaften IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117P IRFI4024H-117P IRFI4019HG-117P
Artikelnummer IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117P IRFI4024H-117P IRFI4019HG-117P
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V 18nC @ 10V 13nC @ 10V 20nC @ 10V
Grundproduktnummer IRFI4212 IRFI4212 IRFI4024 IRFI4019
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 25µA 4.9V @ 50µA
FET-Merkmal - - - -
Leistung - max 18W (Tc) 18W 14W 18W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 11A 11A 8.7A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5mOhm @ 6.6A, 10V 72.5mOhm @ 6.6A, 10V 60mOhm @ 7.7A, 10V 95mOhm @ 5.2A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 50V 490pF @ 50V 320pF @ 50V 810pF @ 25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 100V 55V 150V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 Full Pack, Formed Leads TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack, Formed Leads

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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