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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRFI4020H-117P
Infineon Technologies
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IRFI4020H-117P - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFI4020H-117P
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFI4020H-117P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-5 Full Pack
Datenblatt
IRFI4020H-117P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5000

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Anzahl

Spezifikation

IRFI4020H-117P Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFI4020H-117P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFI4020H-117P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5 Full-Pak  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.5A, 10V  
Leistung - max 21W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.1A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRFI4020  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFI4020H-117P.

Produkteigenschaften IRFI4020H-117P IRFI4019H-117P IRFI4024H-117P IRFI4019HG-117P
Artikelnummer IRFI4020H-117P IRFI4019H-117P IRFI4024H-117P IRFI4019HG-117P
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.5A, 10V 95mOhm @ 5.2A, 10V 60mOhm @ 7.7A, 10V 95mOhm @ 5.2A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Grundproduktnummer IRFI4020 IRFI4019 IRFI4024 IRFI4019
Leistung - max 21W 18W 14W 18W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 25V 810pF @ 25V 320pF @ 50V 810pF @ 25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V 150V 55V 150V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.1A 8.7A 11A 8.7A
Supplier Device-Gehäuse TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak TO-220-5 Full-Pak
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V 20nC @ 10V 13nC @ 10V 20nC @ 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 4.9V @ 50µA 4V @ 25µA 4.9V @ 50µA

IRFI4020H-117P Datenblatt PDF

Laden Sie IRFI4020H-117P PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFI4020H-117P - Infineon Technologies herunter.

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