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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFIZ48N
Infineon Technologies
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IRFIZ48N - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFIZ48N
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFIZ48N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRFIZ48N.pdf
vorrätig: 3930

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Anzahl

Spezifikation

IRFIZ48N Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFIZ48N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFIZ48N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFIZ48N.

Produkteigenschaften IRFIZ48N IRFIZ46NPBF IRFIZ48G IRFIZ48NPBF
Artikelnummer IRFIZ48N IRFIZ46NPBF IRFIZ48G IRFIZ48NPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix International Rectifier
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tube Tube Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 36A (Tc) 33A (Tc) 37A (Tc) 40A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 22A, 10V 20mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 22A, 10V 16mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220AB Full-Pak
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 45W (Tc) 50W (Tc) 54W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack

IRFIZ48N Datenblatt PDF

Laden Sie IRFIZ48N PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFIZ48N - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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