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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFIZ48G
IRFIZ48G Image
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IRFIZ48G - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFIZ48G
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFIZ48G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt
IRFIZ48G.pdf
vorrätig: 4170

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Anzahl

Spezifikation

IRFIZ48G Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFIZ48G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFIZ48G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFIZ48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFIZ48G.

Produkteigenschaften IRFIZ48G IRFIZ34NPBF IRFIZ48N IRFIZ48NPBF
Artikelnummer IRFIZ48G IRFIZ34NPBF IRFIZ48N IRFIZ48NPBF
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Grundproduktnummer IRFIZ48 IRFIZ34 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 22A, 10V 40mOhm @ 11A, 10V 16mOhm @ 22A, 10V 16mOhm @ 22A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Tc) 21A (Tc) 36A (Tc) 40A (Tc)
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 55 V 55 V 55 V
Paket Tube Tube Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 37W (Tc) 42W (Tc) 54W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFIZ48G Datenblatt PDF

Laden Sie IRFIZ48G PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFIZ48G - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFIZ48G.pdf

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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