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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR18N15D
IRFR18N15D Image
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IRFR18N15D - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR18N15D
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR18N15D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR18N15D, IRFU18N15D.pdf
vorrätig: 4080

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Spezifikation

IRFR18N15D Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR18N15D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR18N15D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR18N15D.

Produkteigenschaften IRFR18N15D IRFR15N20DPBF IRFR1N60ATR IRFR15N20DTRPBF
Artikelnummer IRFR18N15D IRFR15N20DPBF IRFR1N60ATR IRFR15N20DTRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V 7Ohm @ 840mA, 10V 165mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 3W (Ta), 140W (Tc) 36W (Tc) 3W (Ta), 140W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-PAK (TO-252AA)
Paket Tube Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 229 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 17A (Tc) 1.4A (Tc) 17A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 600 V 200 V

IRFR18N15D Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR18N15D PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR18N15D - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRFR18N15D, IRFU18N15D.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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