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IRFR18N15DTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer: IRFR18N15DTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies

Allelco Artikelnummer: 32D-IRFR18N15DTRPBF

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

detaillierte Beschreibung

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Datenblatt: ~~IRFR18N15DTRPBF.pdf~~

RoHS Status

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vorrätig: 4620

Spezifikation

IRFR18N15DTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFR18N15DTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFR18N15DTRPBF

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D-Pak
Serie	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)	110W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFR18N15DTRPBF.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	IRFR18N15DTRPBF	IRFR210	IRFR1N60ATR	IRFR18N15DPBF
Hersteller	International Rectifier	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	International Rectifier
Vgs (Max)	±30V	±20V	±30V	±30V
Supplier Device-Gehäuse	D-Pak	D-Pak	D-Pak	D-Pak
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max)	110W (Tc)	2.5W (Ta), 25W (Tc)	36W (Tc)	110W (Tc)
Paket	Bulk	Tube	Tape & Reel (TR)	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 11A, 10V	1.5Ohm @ 1.6A, 10V	7Ohm @ 840mA, 10V	125mOhm @ 11A, 10V
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	5.5V @ 250µA
FET-Merkmal	-	-	-	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 10 V	8.2 nC @ 10 V	14 nC @ 10 V	43 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)	2.6A (Tc)	1.4A (Tc)	18A (Tc)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Serie	HEXFET®	-	-	HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	900 pF @ 25 V	140 pF @ 25 V	229 pF @ 25 V	900 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V	200 V	600 V	150 V

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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