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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR2307ZPBF
IRFR2307ZPBF Image
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IRFR2307ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR2307ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR2307ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR2307ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3860

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Anzahl

Spezifikation

IRFR2307ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR2307ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR2307ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR2307ZPBF.

Produkteigenschaften IRFR2307ZPBF IRFR224TRLPBF IRFR224TRL IRFR224TR
Artikelnummer IRFR2307ZPBF IRFR224TRLPBF IRFR224TRL IRFR224TR
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Serie HEXFET® - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 250 V 250 V 250 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 32A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 3.8A (Tc) 3.8A (Tc) 3.8A (Tc)
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRFR2307ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR2307ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR2307ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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