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IRFR2307ZTRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR2307ZTRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR2307ZTRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR2307ZTRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55010

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Anzahl

Spezifikation

IRFR2307ZTRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR2307ZTRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR2307ZTRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR2307  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR2307ZTRLPBF.

Produkteigenschaften IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZPBF IRFR224TR IRFR224TRPBF
Artikelnummer IRFR2307ZTRLPBF IRFR2307ZPBF IRFR224TR IRFR224TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 75 V 250 V 250 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IRFR2307 - IRFR224 IRFR224
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 42A (Tc) 3.8A (Tc) 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 32A, 10V 16mOhm @ 32A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2190 pF @ 25 V 2190 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRFR2307ZTRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR2307ZTRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR2307ZTRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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