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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR3710ZTRPBF
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IRFR3710ZTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR3710ZTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR3710ZTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR3710ZTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39573

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Spezifikation

IRFR3710ZTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR3710ZTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR3710ZTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2930 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR3710  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR3710ZTRPBF.

Produkteigenschaften IRFR3710ZTRPBF IRFR3711Z IRFR3709ZTRLPBF IRFR3711TR
Artikelnummer IRFR3710ZTRPBF IRFR3711Z IRFR3709ZTRLPBF IRFR3711TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.25V @ 250µA 3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 20 V 30 V 20 V
Grundproduktnummer IRFR3710 - IRFR3709 -
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V 26 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 33A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2930 pF @ 25 V 2160 pF @ 10 V 2330 pF @ 15 V 2980 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 93A (Tc) 86A (Tc) 100A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak

IRFR3710ZTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR3710ZTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR3710ZTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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