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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR3711TRLPBF
International Rectifier
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IRFR3711TRLPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFR3711TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR3711TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR3711TRLPBF.pdf
vorrätig: 97950

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Spezifikation

IRFR3711TRLPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFR3711TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFR3711TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-Pak  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFR3711TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFR3711TRLPBF IRFR3710ZTRLPBF IRFR3711Z IRFR3711PBF
Artikelnummer IRFR3711TRLPBF IRFR3710ZTRLPBF IRFR3711Z IRFR3711PBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V 2930 pF @ 25 V 2160 pF @ 10 V 2980 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 15A, 10V 18mOhm @ 33A, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 2.45V @ 250µA 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V 100 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V 44 nC @ 4.5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 42A (Tc) 93A (Tc) 100A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 100 V 20 V 20 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 120W (Tc) 140W (Tc) 79W (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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