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IRFR7440TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR7440TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR7440TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR7440TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48660

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Anzahl

Spezifikation

IRFR7440TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR7440TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR7440TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4610 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFR7440  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR7440TRPBF.

Produkteigenschaften IRFR7440TRPBF IRFR7446PBF IRFR7540PBF IRFR6215TRPBF
Artikelnummer IRFR7440TRPBF IRFR7446PBF IRFR7540PBF IRFR6215TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFR7440 - - IRFR6215
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4610 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V 860 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 98W (Tc) 140W (Tc) 110W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 TO-252, (D-Pak) TO-252AA D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 56A (Tc) 90A (Tc) 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V - 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 150 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 90A, 10V 3.9mOhm @ 56A, 10V 4.8mOhm @ 66A, 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 3.9V @ 100µA 3.7V @ 100µA 4V @ 250µA

IRFR7440TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR7440TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR7440TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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