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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFR7446PBF
IRFR7446PBF Image
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IRFR7446PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFR7446PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFR7446PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IRFR7446PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

IRFR7446PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFR7446PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFR7446PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak)  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 56A, 10V  
Verlustleistung (max) 98W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFR7446PBF.

Produkteigenschaften IRFR7446PBF IRFR7540PBF IRFR7446TRPBF IRFR7440PBF
Artikelnummer IRFR7446PBF IRFR7540PBF IRFR7446TRPBF IRFR7440PBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3150 pF @ 25 V 4360 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 4610 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 3.7V @ 100µA 3.9V @ 100µA 3.9V @ 100µA
Verlustleistung (max) 98W (Tc) 140W (Tc) 98W (Tc) 140W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 60 V 40 V 40 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V - 6V, 10V 6V, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-252, (D-Pak) TO-252AA D-Pak D-Pak
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 56A, 10V 4.8mOhm @ 66A, 10V 3.9mOhm @ 56A, 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 90A (Tc) 56A (Tc) 90A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR7446PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFR7446PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFR7446PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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