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IRFS3004PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS3004PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS3004PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS3004PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5150

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Anzahl

Spezifikation

IRFS3004PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS3004PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS3004PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS3004PBF.

Produkteigenschaften IRFS3004PBF IRFS3004TRLPBF IRFS3006TRL7PP IRFS3004TRL7PP
Artikelnummer IRFS3004PBF IRFS3004TRLPBF IRFS3006TRL7PP IRFS3004TRL7PP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Ta) 195A (Ta) 240A (Tc) 240A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 8850 pF @ 50 V 9130 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 380W (Tc) 380W (Tc) 375W (Tc) 380W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 2.1mOhm @ 168A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFS3004PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS3004PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS3004PBF - Infineon Technologies herunter.

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