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IRFS3006TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS3006TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS3006TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS3006TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14507

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Anzahl

Spezifikation

IRFS3006TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS3006TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS3006TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS3006  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS3006TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFS3006TRLPBF IRFS3004TRLPBF IRFS3004-7PPBF IRFS3107-7PPBF
Artikelnummer IRFS3006TRLPBF IRFS3004TRLPBF IRFS3004-7PPBF IRFS3107-7PPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 195A (Ta) 240A (Tc) 240A (Tc)
Grundproduktnummer IRFS3006 IRFS3004 - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 40 V 75 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V 9200 pF @ 25 V 9130 pF @ 25 V 9200 pF @ 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 380W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK (7-Lead)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube

IRFS3006TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS3006TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS3006TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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