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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS31N20DPBF
International Rectifier
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IRFS31N20DPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFS31N20DPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS31N20DPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS31N20DPBF.pdf
vorrätig: 4210

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Spezifikation

IRFS31N20DPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFS31N20DPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFS31N20DPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFS31N20DPBF.

Produkteigenschaften IRFS31N20DPBF IRFS31N20DTRL IRFS3107PBF IRFS3107-7PPBF
Artikelnummer IRFS31N20DPBF IRFS31N20DTRL IRFS3107PBF IRFS3107-7PPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 75 V 75 V
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 370W (Tc) 370W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V 2370 pF @ 25 V 9370 pF @ 50 V 9200 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V 3mOhm @ 140A, 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V

Lieferung

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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