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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS31N20DTRL
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IRFS31N20DTRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS31N20DTRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS31N20DTRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D.pdf
vorrätig: 3700

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Spezifikation

IRFS31N20DTRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS31N20DTRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS31N20DTRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS31N20DTRL.

Produkteigenschaften IRFS31N20DTRL IRFS31N20DTRLP IRFS3107-7PPBF IRFS31N20DTRRP
Artikelnummer IRFS31N20DTRL IRFS31N20DTRLP IRFS3107-7PPBF IRFS31N20DTRRP
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 31A (Tc) 31A (Tc) 240A (Tc) 31A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 18A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V 82mOhm @ 18A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 75 V 200 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370 pF @ 25 V 2370 pF @ 25 V 9200 pF @ 50 V 2370 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) 370W (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc)

IRFS31N20DTRL Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS31N20DTRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS31N20DTRL - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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