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IRFS3507 Image
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IRFS3507 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS3507
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS3507
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 97A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFB3507, IRFS(L)3507.pdf
vorrätig: 5180

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Anzahl

Spezifikation

IRFS3507 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS3507 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS3507

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 58A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3540 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 97A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS3507.

Produkteigenschaften IRFS3507 IRFS33N15DTRLP IRFS3806PBF IRFS3607PBF
Artikelnummer IRFS3507 IRFS33N15DTRLP IRFS3806PBF IRFS3607PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 150 V 60 V 75 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 5.5V @ 250µA 4V @ 50µA 4V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 97A (Tc) 33A (Tc) 43A (Tc) 80A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3540 pF @ 50 V 2020 pF @ 25 V 1150 pF @ 50 V 3070 pF @ 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 58A, 10V 56mOhm @ 20A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Verlustleistung (max) 190W (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) 71W (Tc) 140W (Tc)

IRFS3507 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS3507 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS3507 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
IR Part Numbering System.pdf
Datenblätter
IRFB3507, IRFS(L)3507.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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