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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS3607PBF
International Rectifier
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IRFS3607PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFS3607PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS3607PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRFS3607 - 12V-300V N-CHANNEL PO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS3607PBF.pdf
vorrätig: 4660

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Anzahl

Spezifikation

IRFS3607PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFS3607PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFS3607PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFS3607PBF.

Produkteigenschaften IRFS3607PBF IRFS3806PBF IRFS3507 IRFS38N20DPBF
Artikelnummer IRFS3607PBF IRFS3806PBF IRFS3507 IRFS38N20DPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 50µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA
Paket Bulk Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 8.8mOhm @ 58A, 10V 54mOhm @ 26A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 43A (Tc) 97A (Tc) 43A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V 1150 pF @ 50 V 3540 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 71W (Tc) 190W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 60 V 75 V 200 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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