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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS4115-7PPBF
IRFS4115-7PPBF Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFS4115-7PPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS4115-7PPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS4115-7PPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt
IRFS4115-7PPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4790

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Anzahl

Spezifikation

IRFS4115-7PPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS4115-7PPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS4115-7PPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 63A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS4115-7PPBF.

Produkteigenschaften IRFS4115-7PPBF IRFS4115TRLPBF IRFS4020PBF IRFS4115TRL7PP
Artikelnummer IRFS4115-7PPBF IRFS4115TRLPBF IRFS4020PBF IRFS4115TRL7PP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 50 V 5270 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 5320 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK D2PAK (7-Lead)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 380W (Tc) 375W (Tc) 100W (Tc) 380W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 150 V 200 V 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc) 195A (Tc) 18A (Tc) 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 63A, 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRFS4115-7PPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS4115-7PPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS4115-7PPBF - Infineon Technologies herunter.

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