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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS4115TRL7PP
IRFS4115TRL7PP Image
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IRFS4115TRL7PP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS4115TRL7PP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS4115TRL7PP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt
IRFS4115TRL7PP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11211

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Anzahl

Spezifikation

IRFS4115TRL7PP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS4115TRL7PP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS4115TRL7PP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 63A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS4115  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS4115TRL7PP.

Produkteigenschaften IRFS4115TRL7PP IRFS4020TRLPBF IRFS4115-7PPBF IRFS4115PBF
Artikelnummer IRFS4115TRL7PP IRFS4020TRLPBF IRFS4115-7PPBF IRFS4115PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5320 pF @ 50 V 1200 pF @ 50 V 5320 pF @ 50 V 5270 pF @ 50 V
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 105A (Tc) 18A (Tc) 105A (Tc) 195A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 380W (Tc) 100W (Tc) 380W (Tc) 375W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.9V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFS4115 IRFS4020 - -
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK (7-Lead) D2PAK
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 150 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 63A, 10V 105mOhm @ 11A, 10V 11.8mOhm @ 63A, 10V 12.1mOhm @ 62A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFS4115TRL7PP Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS4115TRL7PP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS4115TRL7PP - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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