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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS7440TRLPBF
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IRFS7440TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7440TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7440TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS7440TRLPBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 32868

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Spezifikation

IRFS7440TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7440TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7440TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak)  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4730 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7440  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7440TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFS7440TRLPBF IRFS7437TRLPBF IRFS7434TRLPBF IRFS7530-7PPBF
Artikelnummer IRFS7440TRLPBF IRFS7437TRLPBF IRFS7434TRLPBF IRFS7530-7PPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 195A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 3.9V @ 150µA 3.9V @ 250µA 3.7V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D²Pak) TO-263AB D2PAK D2PAK (7-Lead)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 230W (Tc) 294W (Tc) 375W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 354 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFS7440 IRFS7437 IRFS7434 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4730 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 12960 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

IRFS7440TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7440TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7440TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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