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IRFS7530TRL7PP Image
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IRFS7530TRL7PP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7530TRL7PP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7530TRL7PP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
IRFS7530TRL7PP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13154

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Spezifikation

IRFS7530TRL7PP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7530TRL7PP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7530TRL7PP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12960 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 354 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7530  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP.

Produkteigenschaften IRFS7530TRL7PP IRFS7530PBF IRFS7537PBF IRFS7437TRLPBF
Artikelnummer IRFS7530TRL7PP IRFS7530PBF IRFS7537PBF IRFS7437TRLPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 375W (Tc) 230W (Tc) 230W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12960 pF @ 25 V 13703 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V 7330 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IRFS7530 - - IRFS7437
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 150µA 3.9V @ 150µA
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 354 nC @ 10 V 411 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7 D2PAK D2PAK TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc) 195A (Tc) 173A (Tc) 195A (Tc)

IRFS7530TRL7PP Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7530TRL7PP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7530TRL7PP - Infineon Technologies herunter.

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