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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL7787PBF
Infineon Technologies
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IRFSL7787PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL7787PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL7787PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRFSL7787 - 12V-300V N-CHANNEL P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL7787PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4870

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Spezifikation

IRFSL7787PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL7787PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL7787PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL7787PBF.

Produkteigenschaften IRFSL7787PBF IRFSL9N60APBF IRFSL7537PBF IRFSL4610PBF
Artikelnummer IRFSL7787PBF IRFSL9N60APBF IRFSL7537PBF IRFSL4610PBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4020 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V 3550 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 170W (Tc) 230W (Tc) 190W (Tc)
Paket Bulk Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-262 I2PAK TO-262 TO-262
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 100µA 4V @ 250µA 3.7V @ 150µA 4V @ 100µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 600 V 60 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 46A, 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 76A (Tc) 9.2A (Tc) 173A (Tc) 73A (Tc)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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