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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFSL4410ZPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFSL4410ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFSL4410ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 97A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
IRFSL4410ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24675

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Anzahl

Spezifikation

IRFSL4410ZPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFSL4410ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFSL4410ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 97A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFSL4410  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFSL4410ZPBF.

Produkteigenschaften IRFSL4410ZPBF IRFSL4610PBF IRFSL7434PBF IRFSL5615PBF
Artikelnummer IRFSL4410ZPBF IRFSL4610PBF IRFSL7434PBF IRFSL5615PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 58A, 10V 14mOhm @ 44A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 6V, 10V 10V
Paket Tube Tube Bulk Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 TO-262 TO-262
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 190W (Tc) 294W (Tc) 144W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 97A (Tc) 73A (Tc) 195A (Tc) 33A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 40 V 150 V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRFSL4410 - - IRFSL5615
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 4V @ 100µA 3.9V @ 250µA 5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4820 pF @ 50 V 3550 pF @ 50 V 10820 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V

IRFSL4410ZPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFSL4410ZPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFSL4410ZPBF - Infineon Technologies herunter.

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