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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU18N15D
Infineon Technologies
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IRFU18N15D - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU18N15D
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU18N15D
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFR18N15D, IRFU18N15D.pdf
vorrätig: 5060

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Anzahl

Spezifikation

IRFU18N15D Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU18N15D Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU18N15D

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU18N15D.

Produkteigenschaften IRFU18N15D IRFU13N20DPBF IRFU210 IRFU120NPBF
Artikelnummer IRFU18N15D IRFU13N20DPBF IRFU210 IRFU120NPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 200 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 11A, 10V 235mOhm @ 8A, 10V 1.5Ohm @ 1.6A, 10V 210mOhm @ 5.6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 13A (Tc) 2.6A (Tc) 9.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 48W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRFU18N15D Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU18N15D PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU18N15D - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Datenblätter
IRFR18N15D, IRFU18N15D.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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