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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU1N60APBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU1N60APBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFU1N60APBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU1N60APBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFx1N60A, SIHFx1N60A.pdf
RoHS Status
vorrätig: 74490

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Spezifikation

IRFU1N60APBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFU1N60APBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFU1N60APBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 840mA, 10V  
Verlustleistung (max) 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 229 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFU1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFU1N60APBF.

Produkteigenschaften IRFU1N60APBF IRFU1N60A IRFU18N15D IRFU15N20DPBF
Artikelnummer IRFU1N60APBF IRFU1N60A IRFU18N15D IRFU15N20DPBF
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 840mA, 10V 7Ohm @ 840mA, 10V 125mOhm @ 11A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - HEXFET® HEXFET®
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.4A (Tc) 1.4A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 229 pF @ 25 V 229 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFU1 IRFU1 - -
Verlustleistung (max) 36W (Tc) 36W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 150 V 200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V

IRFU1N60APBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU1N60APBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFU1N60APBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRFx1N60A, SIHFx1N60A.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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