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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU220NPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU220NPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU220NPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU220NPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU220NPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62550

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Anzahl

Spezifikation

IRFU220NPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU220NPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU220NPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.9A, 10V  
Verlustleistung (max) 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFU220  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU220NPBF.

Produkteigenschaften IRFU220NPBF IRFU214PBF IRFU224PBF IRFU220
Artikelnummer IRFU220NPBF IRFU214PBF IRFU224PBF IRFU220
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 43W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.9A, 10V 2Ohm @ 1.3A, 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® - - -
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA TO-251AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 250 V 250 V 200 V
Grundproduktnummer IRFU220 IRFU214 IRFU224 IRFU2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 2.2A (Tc) 3.8A (Tc) 4.8A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -

IRFU220NPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU220NPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU220NPBF - Infineon Technologies herunter.

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