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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU224PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU224PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFU224PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU224PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58400

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Anzahl

Spezifikation

IRFU224PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFU224PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFU224PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFU224  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFU224PBF.

Produkteigenschaften IRFU224PBF IRFU220NPBF IRFU220PBF IRFU220BTU
Artikelnummer IRFU224PBF IRFU220NPBF IRFU220PBF IRFU220BTU
Hersteller Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 300 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V -
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Grundproduktnummer IRFU224 IRFU220 IRFU220 -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 43W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) -
Serie - HEXFET® - *
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 200 V 200 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A (Tc) 5A (Tc) 4.8A (Tc) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Paket Tube Tube Tube Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

IRFU224PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU224PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFU224PBF - Vishay Siliconix herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Datenblätter
IRFR224, IRFU224, SiHFR224, SiHFU224.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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